必一运动

关于必一运动
公司简介 公司成立于2008年,注册资本12257.4975万元,2022年2月10日 于上海交易所登录科创板上市,代码:688261。
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产品中心

所有产品

公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列屏蔽栅MOSFET、TGBT、SuperSi²C MOSSFET、SuperSi MOSFET、SiC MOSFET, 产品可广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能、5G基站电源、通信电源、数据中心服务器电源、工业照明电源、电动工具、智能机器人、无人机、 UPS电源为代表的工业级及汽车级应用领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器、电磁加热为代表的消费电子应用领域。

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SJ MOSFETs

为适应电源系统高效率小型化的需求,必一运动半导体推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺,GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡,不仅可以大大提高系统效率、降低发热量,还可以简化系统EMI设计。

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SGT MOSFETs

必一运动的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构,兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点,并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列,可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。

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IGBTs

必一运动的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构,以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品,涵盖600V~1700V电压,适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、OBC、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列TGBT,工作频率达到60-100KHz,可以在满足电源系统进一步高频化的同时,实现更高的效率。

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Trench MOSFETs

沟槽Trench MOSFET:性能可靠,值得信赖,通过大量的开发,我们持续不断地利用先进的小信号MOS和功率MOS解决方案扩充我们的产品组合。我们种类齐全的产品组合提供当今市场所需的灵活性,让您可以轻松选择最适合您系统的产品。我们的领先技术确保提供最高的可靠性和性能,而先进的封装则可以增强电阻和热性能,同时缩小尺寸,降低成本。

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Power Module

先进的电源模块, 包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块。IGBT模块被运用于主驱和DC-AC级太阳能逆变器、能源储存系统、不间断电源和电机驱动等应用中。MOSFET模块用于汽车电机驱动和车载充电机应用,额定电压可选40 V、60 V、80 V和650 V,采用超级结技术和感应电阻。

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SiC MOSFETs

第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。必一运动研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验,研发了一系列SiC MOSFETs。

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GaN HEMT

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)正日益成为主流市场的选择。针对各种高电压和低电压应用场景,GaN HEMT具备最快的转换/开关能力(最高dv/dt与di/dt)和最优异的能效表现。此外,必一运动半导体自研的GaN HEMT通过新颖的设计,降低导通损耗和开关损耗,进一步提升了功率密度。

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Power IC

针对高端AC-DC、DC-DC工业电源及AI算力电源核心应用场景,必一运动持续迭代并推出数字专用电源控制IC,全面适配高频宽禁带功率器件与高密度电源架构。相较于传统模拟电源IC,数字专用控制IC具备颠覆性优势,摒弃了模拟方案依赖阻容参数定标、调试繁琐、方案固化的痛点,实现重要参数数字化可配置,可灵活调校环路补偿、工作拓扑模式、各类保护阈值及轻载节能策略,无需更改硬件电路即可适配多规格电源产品。同时芯片动态自适应能力更强,可针对负载突变、电网波动、高低温工况自动优化控制逻辑,大幅提升电源瞬态响应与全负载段能效;有效解决模拟IC固有的温漂、器件离散性问题,整机批量一致性大幅提升,量产良率更高;且集成高精度采样、智能故障保护、自适应算法等核心功能,外围器件极简,集成度远高于传统模拟方案,有效简化客户硬件设计与调试流程。相较于通用MCU、DSP控制方案,数字专用控制IC优势同样突出,专用硬件控制架构无需软件代码开发、无程序编译调试门槛,客户入门难度低、项目落地周期大幅缩短;芯片架构精简、成本可控,相比高端DSP主控具备显著成本优势;纯硬件闭环控制无软件冗余功耗,待机功耗更低,适配电源低功耗能效规范;同时抗EMI干扰能力强,在高频、高压、强干扰的严苛电源工况下,可靠性与稳定性更高,完美匹配高端工业电源、AI数据中心电源的高可靠、高效率、低成本量产需求。

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LDO

LDO(Low Dropout Regulator 低压差线性稳压器)为适应从便携式设备到工业高压控制对电源管理的多元化需求,必一运动推出了全系列高性能LDO产品线。该系列包含超低功耗的CMOS架构与高可靠性的Bipolar架构,采用先进的带隙基准源与过流保护技术,具有比传统稳压器更宽的输入电压窗口及极高的性价比。CMOS系列实现了低至0.2μA的静态电流与高达90dB的电源抑制比,而Bipolar系列则支持高达1.5A的大电流输出与36V以上的耐高压特性,在确保输出电压精度的同时大幅简化了外围电路设计。 该系列产品涵盖5.5V至100V全电压输入范围,提供从100mA到1.5A的多种电流规格,封装形式灵活多样(SOT23/SOT89/SOT223/TO252等),可以满足各种复杂系统的供电需求。基于其低功耗、高耐压及低噪声的特点,特别适用于智能电表、48V轻混系统、安防监控、电机驱动、物联网节点及各类精密仪器等系统。

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OPA

OPA(Operational Amplifier 运算放大器)为应对现代电子系统对低功耗、高精度及高速信号处理的严苛挑战,必一运动推出了全系列高性能模拟信号链产品。该系列涵盖低压通用运放、高压通用运放、低压高速运放及低压比较器四大核心品类,采用先进的半导体制造工艺与优化的内部拓扑架构,具有比传统同类产品更宽的电源电压范围、极低的输入失调电压(Vos)以及卓越的电源抑制比(PSRR)。其中,低压通用系列实现了低至50μA的静态功耗与轨到轨(Rail-to-Rail)输入输出特性;高速系列则具备高达250MHz的增益带宽积与180V/μs的压摆率,在确保极低噪声的同时大幅提升了系统的动态响应能力。 该系列产品提供从单通道到四通道的丰富规格矩阵,支持SOT23、MSOP、DFN等多种微型封装形式,可完美替代市场主流竞品。基于其高可靠性、低失真及优异的抗干扰性能,特别适用于工业控制、汽车电子、医疗仪器、通信设备、精密数据采集及物联网传感器等多元化应用场景。

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DSP

我司 DSP 产品聚焦芯片正向设计,自主掌握 DSP 处理器内核及全部外设模块 IP 源代码,长期沉淀 IP 核、设计流程、自动化脚本、芯片架构等海量设计资源,核心 IP 可实现全流程自主开发。围绕 DSP 芯片设计关键技术,产品已经累计申请发明专利 11 项(已授权 4 项)、软件著作权 17 项、集成电路布图 3 项,并且产品以量产且服务多家国内知名企业。产品对标国际头部厂商主流 DSP 芯片,广泛应用于电源控制、电机驱动、工业网络等领域,旨在破解国内 DSP 芯片高度依赖进口的行业痛点,在满足客户性能需求前提下推进核心器件国产替代与自主可控。

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应用领域
应用领域 必一运动半导体的产品应用领域广泛且具体。在汽车电子方面,深度布局电动化,涵盖车载充电、各类电控系统及热管理;在工业与能源领域,提供电池测试、光伏逆变及工业电源解决方案;同时,其产品也服务于消费电子​(如快充、电视)、家用电器​(如冰箱、吸尘器)、通信设施​(如数据中心电源)以及电机驱动​(如机器人、无人机、叉车)等多个关键行业。
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质量管理
质量管理 ISO9001 质量体系认证通过时间2016年01月11日,CNAS17025 实验室管理体系认证通过时间2025年03月03日。
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投资者关系
投资者关系 必一运动半导体致力于与投资者建立有效的沟通机制,通过透明、及时、准确的信息披露和沟通,帮助投资者全面、客观地了解公司的战略、经营状况、财务状况及未来发展前景,确保投资者能获得同等质量的信息,与投资者建立信任关系,从而使得公司的内在价值能够在资本市场上得到合理反映。
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华为全资控股的哈勃投资入股第七家家半导体公司——庆虹电子(苏州)有限公司

华为全资控股的哈勃投资入股第七家家半导体公司——庆虹电子(苏州)有限公司

发布时间:2020-02-03

阅读次数:2,003

工商信息显示,华为全资控股的哈勃投资入股第七家家半导体公司——庆虹电子(苏州)有限公司(以下简称“庆虹电子”)。

 

企查查信息显示,2020年1月17日,庆虹电子投资人发生变更,新增股东哈勃投资,公司注册资金也增加了2206.868708万元,从此前的4659.555399万元增加至6866.424107万元,增加份额达47.36%。至于持股比例,跟之前投资好达电子一样,同样未公布。

 

资料显示,庆虹电子成立于2001年7月,主要从事各类电子元器件的批发及进出口业务,经营范围包括生产各类仪用接插件、各类精冲模、精密型腔模、模具标准件及五金件等,产品应用于计算机、通信和其他电子设备制造业等领域

 

在入股庆虹电子之前,华为已经投资了山东天岳、杰华特、裕太车通、深思考、鲲游光电、以及好达电子6家半导体上游厂商,而这也是2020以来华为投资的第二家半导体厂商。

 

华为入股的其他六家公司

 

杰华特微电子(杭州)有限公司

 

2019年7月11日,杰华特工商信息发生变更,新增股东哈勃投资。

 

杰华特官方资料显示,该公司成立于2013年3月,注册资本5500万元,致力于功率管理芯片研究,为电力、通信、电动汽车等行业用户提供系统的解决方案与产品服务。目前,杰华特拥有电池管理、LED照明、DC/DC转换器等产品。

 

杰华特团队核心人员来自美国德州仪器和美国芯源公司等。其产品广泛应用在手机、笔记本电脑等电子设备产品。据业内人士介绍,杰华特也是华为相关产品的供应商。

 

山东天岳先进材料科技有限公司

 

2019年8月16日,山东天岳工商信息发生变更,新增股东哈勃投资,目前,哈勃投资持有山东天岳8.37%股份。

 

官网显示,山东天岳碳化硅产品主要有4H-导电型碳化硅衬底材料,其规格有2英寸、3英寸、4英寸以及6英寸,今后可以广泛应用于大功率高频电子器件、半导体发光二极管(LED),以及诸如5G通讯、物流网等微波通讯领域。

 

2017年,山东天岳获批国家级研发新平台——碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心。今年2月27日,山东天岳碳化硅功率半导体芯片研发与产业化项目正式开工。据此前济南市发改委公布的消息,该项目总投资6.5亿元,主要将建设碳化硅功率芯片生产线和碳化硅电动汽车驱动模块生产线各一条,利用厂区原有厂房的空置区域建设。

 

深思考人工智能机器人科技(北京)有限公司

 

2019年9月18日,深思考工商信息发生变更,新增股东哈勃投资,目前,哈勃投资持有深思考3.67%股权,这也是华为首次投资国内的人工智能企业。

 

深思考成立于2015年8月,是一家专注于类脑人工智能与深度学习核心科技的AI公司,核心团队由来自中科院、清华的一线AI科学家与领域业务专家组成,该公司最突出的技术是“多模态深度语义理解引擎(iDeepwise.ai)与人机交互技术”,该引擎技术可同时理解文本、视觉图像等多模态非结构化数据背后的深度语义。

 

苏州裕太车通电子科技有限公司

 

2019年10月28日,裕太车通工商信息发生变更,新增哈勃投资和唐晓峰为股东,曹李滢退出,目前,哈勃投资持有裕太车通10%股份。

 

裕太车通成立于于2017年1月25日,当年6月1日正式开始运营,是一家车载核心通讯芯片研发商,致力于有线通讯PHY芯片的设计、研发和销售。裕太车通官网消息显示,在车载以太网PHY芯片领域,裕太车通已成功研发出国内首款符合100Base-T1标准的PHY芯片“YT8010”,并已进入量产阶段,打破了国际芯片巨头公司在此芯片领域的垄断。

 

上海鲲游光电科技有限公司

 

2019年12月18日,鲲游光电工商信息发生变更,新增哈勃投资和上海临港智兆二期股权投资基金合伙企业(有限合伙)两家股东,目前,哈勃投资持有鲲游光电6.58%股权,是该公司第二大机构股东。

 

信息显示,鲲游光电(North Ocean Photonics)成立于2016年,专注于晶圆级光芯片的研发与应用,致力于探索通过半导体工艺与光学工艺的融合,以半导体晶圆思路设计、制成纳米级、低成本的光学芯片。

 

无锡市好达电子有限公司

 

2020年1月6日,好达电子投资人发生变更,新增股东哈勃投资,不过此次哈勃投资的具体金额和持股比例信息并未公布。

 

资料显示,好达电子成立于1999年,是知名的声表面波器件生产厂商,拥有能生产0.25um微线条芯片生产线,拥有能生产CSP倒装产品封装的生产线,可生产产品尺寸为1.8*1.4的双工器、1.1*0.9的滤波器。

 

好达电子主要产品包括声表面波滤波器、双工器、谐振器,应用于手机、通信基站,LTE模块,物联网,车联网,智能家居,及其它射频通讯领域,目前主要客户包括小米,中兴、宇龙、金立、三星、蓝宝、富士康、魅族,联想等。

 

信息来源:全球半导体观察官网(www.dramx.com)

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